对于Redmi Note 9 Pro来说，高性能的奥秘其实并不仅仅在于新主控。因为除了骁龙750G之外，Redmi Note9 Pro还支持新一代UFS2.2闪存存储，配合Write Turbo顺序写入增强的特性，顺序写入速度可接近500MB/s，相较UFS2.1提升一倍。

众所周知，目前行业最快的闪存规范是UFS 3.1，但那是只有少数顶级旗舰芯片才能支持的技术，而对于中端主控来说，就算强行装上UFS 3.1闪存，因为芯片本身不兼容，也只能降速工作在UFS 2.1或者2.0模式下。在这样的前提下，引入了UFS 3.1的写入加速技术，同时对中端SoC兼容性更好的UFS 2.2闪存，就成为了同级别中性能最好的选择。从AndroBench与安兔兔的测试结果来看，Redmi Note 9 Pro上使用的UFS 2.2闪存，已经可以达到近500MB/s的写入和1000MB/s的读取速度。换句话说，即便未来5G网络的带宽提升到现在的四倍，其磁盘性能也足以应对当时的满速下载需求了。