三星近日正式发布了新一代UFS 5.0存储芯片，主要优化智能手机的端侧AI处理能力及续航表现，该芯片的数据传输速度显著提升，读取速度最高可达每秒10.8GB，写入速度最高可达每秒9.5GB，其性能表现是上一代UFS 4.1标准的两倍以上。

可以说，这是继2022年UFS4.0发布以来的又一次重要升级，三星表示，UFS 5.0计划于2026年第四季度进入量产阶段。

对比上一代标准，UFS 4.1的顺序读取速度约为4.2GB/s，顺序写入速度约为2.8GB/s，UFS 5.0在这两项指标上分别提升了约157%和239%。

如果这一性能参数能够在实际设备中落地，意味着手机存储的读写速度将超过目前电脑上常见的PCIe Gen4 NVMe固态硬盘，后者顺序读取速度约为7.5GB/s，顺序写入速度约为6.8GB/s。

在能效方面，三星称UFS 5.0的功耗相比UFS 4.1降低了40%，这对于智能手机的续航表现将有直接帮助。

此外，UFS 5.0的物理封装尺寸也进一步缩小，从UFS4.0和4.1的11mmx13mm×1mm缩减至7.5mm×13mm×0.9mm，体积减少约16.7%，可以为手机内部腾出更多空间容纳其他组件。

而在这个架构层面，UFS4.0和4.1采用MIPIM-PHY5.0物理层，使用HS-G5高速通道；UFS 5.0升级到MIPIM-PHY6.0物理层，运行HS-G6高速通道，允许更多数据包同时通过内部存储总线传输。

UFS 5.0还延续了UFS 4.1引入的主机端碎片整理功能，并进一步优化了随机IOPS性能。安全性方面，新增InlineHashing功能，数据保护能力有所增强。

对于目前使用UFS 4.1手机的消费者而言，单纯因为存储性能升级换代并不紧迫，现在的UFS4.0其实已经快得溢出了，日常刷视频打游戏根本感觉不出区别，但当换机周期到来时，UFS 5.0会是一个值得关注的指标。