近日，西部数据发布了新一代UFS 3.1闪存——iNAND MC EU551系列。该系列UFS 3.1闪存产品，可以实现最高1550MB/s的超高写入速度，主要针对5G手机日渐增加的数据量打造。

据悉，iNAND MC EU551系列闪存是西部数据的第二代UFS 3.1闪存，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0，写入速度可达1550MB/s。可以满足5G旗舰手机对于存储容量和性能的需要，特别是应对VR/AR、游戏及8K视频等应用的普及。

容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三种规格，预计今年7月份开始上市。