想必许多朋友还记得，真我其实至今还保持着已发布机型中最高充电功率设计（150W）的记录。但此次在真我GT2大师探索版上，却并没有沿用这一成熟的超高功率快充设计，反而是首发了全新的100W“光速秒充”方案。

这是为什么呢？一方面，考虑其产品定位便不难猜测，相对不那么“极致”的峰值充电功率设计可能是为了追求更长的电池寿命。因为纵观整个手机行业就能发现，那些定位顶级的旗舰设备通常都不会使用同期最高功率的快充设计，毕竟对于它们来说，能让电池“撑更久”、延长设备的使用周期，似乎才更为重要。

另一方面，从目前官方公布的相关信息来看，真我GT2大师探索版的这套新快充方案本身也有些额外的特别之处。事实上，它可能是业界首个同时在充电头与机身里都使用了GaN氮化镓元器件的有线快充方案。据悉，这一设计能让机身在充电时的发热降低多达85%，从而有效提高用户的体验。

充电开始9分54秒后电量显示来到51%

充电开始25分23秒后屏幕显示电量100%

充电开始30分34秒后，充电头切断输入，充电真正完成

而从我们的实测情况来看，真我GT2大师探索版在室温环境下，开始充电后不到10分钟即可从1%充到51%，最终仅用时30分钟就完成了1%-100%的整个充电过程。

充电至50%时充电头与机身的温度，可以看到甚至比线材和功率计温度还低

同时，我们也记录下了充电过程中真我GT2大师探索版机身表面的温度变化情况。可以看到，得益于“全链路GaN”元器件的设计，它的充电发热情况的确比一些快充机型有着明显改善。这不只符合其相比其他真我旗下机型更高端的产品定位，同时也又一次呼应了“大师探索版”的内涵。