在这个闪存存储方面，Redmi Note9 Pro也采用了全新的UFS 2.2闪存，这种新闪存运用了Write Turbo技术，在连续写入速度上升级明显，比UFS 2.1闪存快1倍。HPB技术则使随机读取速度增强，24个月使用降低卡顿45%。这些技术在存储测试中体现得很明显。

从我们的实际测试中也得以看出，Redmi Note9 Pro的连续写入速度近500MB/s，随机的读写速度也非常之快。有着新硬件加持的Redmi Note9 Pro，性能上根本不需要我们担心，对于其性能我们来看一下跑分成绩作为参考。其安兔兔评测跑分超过35万分，从分数上来看是目前中端芯片的领跑者了。

我们在这里也想说一点，UFS 2.2或许跟UFS 3.1类似，均是在协议上的升级。对比同样采用Write Turbo和HPB的Redmi 10X Pro，两部手机在存储速度的测试上完全是同一水准的。